公开号：	US2007066508A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	洗涤剂
专利名：	处理含铜半导体的水清洗液的组成
摘要：	本发明涉及一种用于在一个集成电路工艺中已经被化学机械抛光含铜晶片的水清洗液。清洗液包括质量分数0.1-15％含氮杂环有机碱，质量分数在0.1-35％的酒精胺和水。在有效时间内，水清洗液与已经被化学机械抛光处理的含铜由半导体晶片接触，能有效地从晶片表面去除残余的污染物，并同时得到一个更好的表面粗糙度含铜半导体晶片。