公开号：	US2007082833A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	洗涤剂
专利名：	在多晶硅机械研磨过程中低成本低凹陷的浆液
摘要：	本专利提供了平整基质表面浅的凹陷的方法和构成。发明方面提供利用腐蚀性的化合物，根据基团选取它包括氧化铝，氧化铈，表面活性剂和基质，通过化学机械抛光基质去除多晶硅的方法。