公开号：	US2007003844A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	调整光掩模维度的方法
摘要：	这里说明了一种调整在蚀刻后在铭层有缺陷图样的光掩模的一个或多个维度的方法。这种方法包括：利用一种是用去离水和臭氧的方法将光掩模的铭层进行湿蚀刻处理。暴露长度与目标调节角度直接相关。因此，本发明提出的方法提供了一条可以对光掩模进行小量调整（几个埃）的途径，这个微小调整大概为20-30纳米或更多。