公开号：	US2007004072A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体激光器件
摘要：	一种生产半导体激光器件的方法包括：在半导体基体上按顺序从底部开始生长包层、活化层、第一左上包层、第一蚀刻阻止层、第二左上包层、第二蚀刻阻止层、上包层和接触层，以形成叠层结构；在叠层结构的表面边缘掺杂不纯的部分，使得在活化层之上形成窗区域；接触层上，在窗区域蚀刻；用保护薄层形成脊；以蚀刻靠近第二包层中央窗区域的条件，用保护薄层蚀刻保护薄层的两面，进一步在靠近第一蚀刻阻止层的窗区域和靠近第二蚀刻阻止区的其他区域进行湿蚀刻。