公开号：	US2007009816A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	光刻法及其系统
摘要：	光刻装置的光掩模和光源之间的区域有一个透明的光学元件，根据第一强度校正函数该元件上排列着很多递减的元素，通过比较抵抗模式结构元素特征尺寸的变体和布局模式结构元素标称值，可以计算出第一强度校正函数，特征尺寸的变体被分为与光刻装置有关的第一部分和与掩模有关的第二部分。