公开号：	US2007089811A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	合金材
专利名：	半导体装置及其制造方法
摘要：	对于一个有电源的半导体装置，连接电源和镍框架之间的连接体是由薄片叠加构成的。在半导体侧面的金属化合物原件，熔点在260℃左右，甚至更高，一个金属铜层，融化温度也接近260℃，甚至更高。这种连接处的结构能够缓冲由侧面产生的巨大压力，而且在半导体连接处有循环温度，因此，这种结构在彼此之间的热扩散有着很大的不同。