公开号：	US2006127602A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	纳米结构的分布生产
摘要：	一种通过成膜的条件来控制孔径和孔间隔的制备纳米结构的方法被提供。这个方法制备了含有相对于铝含量的20-70%原子百分比的硅和锗的纳米结构的Al-Si-Ge混合薄膜，这个混合薄膜主要是由一定的合成比率的硅和锗Six>Ge1-x(0<=X<=1)的矩阵组成的，圆柱形的部分主要是由在矩阵中直径不大于30nm的铝组成的。在这种方法中，混合的薄膜在不高于150nm/min的成膜比率下形成的。