公开号：	US2006130743A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	低温负载和热处理
摘要：	此方法提供了一种在低温，快速热处理去除在原位沉积之前半导体表面的杂质。此方法具有操作方便的，耗时短，低温过程消耗非常少的预算热量的优点，使得这种方法非常适合先进的，高密度循环的浅结。此外，生产能力通过低温热处理得到很大的改善，尤其在热处理前结合低温等离子体清洗和低温负载晶片，在温度低于常规的外延沉积的温度下沉积。这种方法能够使沉积含硅层在半导体表层上，特别是在硅锗基层能够外延沉积。通过用低温热处理，硅锗基的层可以用没有放松应变晶体结构的硅锗进一步的外延沉积来清洗。