公开号：	US2006144333A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	原子层沉积仪器和方法
摘要：	原子层沉积方法是首先把半导体基放置在一个原子沉积室内。第一个沉积的步骤是把沉积室抽真空，只有在真空条件下才能在基质上得到单原子层。第一个真空条件是通过连接在沉积室的一个真空泵来实现的，在沉积室内，至少有一些沉积基质流动。在形成第一个单分子层后，吹扫用的气体被注入沉积室内所用的真空泵不同于第一个真空泵，至少有一些吹扫气体可以流动。一个原子层沉积设备就是这样。