公开号：	US2006172083A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	制备薄膜的方法
摘要：	一种薄膜的制备方法。一个例子包括在基底的表面利用化学反应形成一种GeSbTe的薄膜，反应包括第一前驱体Ge，第二前驱体Sb，第三前驱体Te，在一个反应室中反应和利用氢离子体处理GeSbTe薄膜的表面。另一个例子是在反应室中至少注射一种前驱体和利用化学气相沉积的方法在反应室的基底上至少沉积一种前驱体使得形成这种薄膜。