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企业难题需求
公开号: US2006193983A1
大类:国外
行业类型:化学
行业内分类:对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名:等离子体气相沉积过程的方法和设备
摘要:发明的一方面对于在一个微型工件上形成一个传导层的方法有指导作用。具体第一点,方法包括在导电材料上沉积一种通过流入的气体进入到一个气相沉积室的等离子区,通过一种传输窗口传输能量给等离子区,能量的传导通过这个窗口进入到等离子区产生了一个来自气体的等离子体。这个能量例如是微波辐射的能量,这个等离子体是来自于在CVD或者是ALD制作过程中气体形成的传导层中产生的。在工件上形成传导层的方法可以伴随形成由第二个沉淀物在窗口上形成的残留膜,此残留膜对于能量有第一透射率被用来产生等离子体,方法的这一步进一步还包括了在窗口上转换的残留膜对于能量还有第二次透射率。第二透射率,例如,第二透射率可以小于第一透射率来改变残留膜,第二次透射率增加的离子能量的数量可以通过窗口扩散到等离子区中。
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