| 摘要： | 一个具体的实施方法，基底的感受器接受半导体的基底，这个半导体基底适合有选择性的取向附生的含有硅的物质沉积在上面。沉积由测量的发射频率的感受器组成的，至少一个感受器的位置是在没有任何接触的方式。包括基底正面的接受方，后面和外围的边缘的主要部分，至少有一个感受器的位置是来自于基底正面的接收方，反面，外围边缘被规定的发射频率的地方。这样至少有一个感受器的位置是由一个最外层的表面包括一个可选择的外延硅材料，这种材料不会沉积在可选择的外延硅上面，而是沉积在半导体的基底上，通过感受器至少有一个初始厚度的外延硅沉积在上述的的基底上接收。其他方面和执行都是被计划的。 |