公开号：	US2006225649A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	沉积反应堆和决定扩散的方法
摘要：	沉积反应堆适合于在晶片上沉积具有高的电容率或者是高的电介质常数的氧化物薄膜。这个反应堆包括扩散器的前面被形成一个在晶片的外部和上面之间隔阂，晶片从外围到中心都被稍微的处理过。这个反应堆装备渗冷气体流量控制器和至少二个独立的局部加热和冷却的装置，这种装置支撑独立控制或者是提供常规的热能。