公开号：	US2006237404A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	激光退火和激光薄膜形成装置
摘要：	一个激光退火有至少一个氮化镓-型半导体激光器的激光光源和配置，以形成发射波长为350-450纳米光束的发射点。对扫描的一annealing表面发射激光束发射点，拥有了发展350至450纳米波长还有一个用激光光束扫描退火表面的扫描设备。激光退火可能有调节激光束的空间光调制器，并且在其中它们的光调制信号的变化与对应致像素光调整情况在基板上的部分排列一致。本发明应用到激光薄膜形成装置。该仪器拥有至少有一个半导体激光器的激光源，以形成排放点，并且激光光学系统可以聚焦光束到底物指定宽度的单一光束。