公开号：	US2006240221A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	由于化学机械平坦化（CMP）时减少抛出的设备
摘要：	本技术是直接针对集成电路的制造，还是一个对半导体晶片表面坚硬的金属层的生产的准备，以减少化学机械平坦化过程（CMP）中的金属层材料的规定用量。这可能会产生硬化层，例如，通过氧化金属的表面和/或涂覆聚合物到金属表面。在一个实例中，一个较厚、致密的氧化层在晶圆通过注射例如氧或臭氧的氧化剂在化学机械平坦化过程前在退火周期结束的时候在金属表面形成。益保护的坚硬的金属槽来自化学机械平面化的化学攻击和变形垫，从而降低了厚度到平面，抛出，并在化学机械平面化过程中实现废物的产生。