公开号：	US2006240649A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	沉积硅的方法
摘要：	沉积硅到底物上的发明涉及的方法首先是对硅衬底上沉积到的含硅气体和氢在等离子体反应腔中反应，然后介绍了等离子体引发。等离子体引发后，只有活泼的含硅气体或含氢的混合气体以不断交替的方式连续提供给等离子室，位于反应室内的混合气体至少一部分同时从反应室中撤回。从一开始，在氢的存在下微晶硅均匀沉积到底物上。