公开号：	US2006255466A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	含氧化硅薄膜的碳具有较高的灰化承受力和粘附性
摘要：	绝缘层可用作半导体设备的夹层绝缘层而且具有低的介电常数。绝缘层包含一个含有氧化硅键（SiOCH）的碳薄膜，这个薄膜有Si-CH2在里面。绝缘膜里Si-CH2键（1360cm-1）到Si-CH3键（1270cm-1处）的比例最好是从一个红外光谱峰高比率的0.03-0.05的范围内。根据本发明该绝缘膜与传统的SiOCH膜相比具有较高的灰化耐受性也可以改善到附着到SiO2薄膜的附着力。