| 摘要： | 已经有了采用的原子层沉积技术在半导体底物上构建掺杂硅的金属氧化层的方法。这些方法包括反复执行一个金属氧化物层的形成周期的K倍的反复操作和执行硅掺杂的金属氧化物层的形成周期Q倍操作。K和Q的值是一个至少是2个或更大的整数。K和Q都是整数，分别从1到10左右。金属氧化物层的形成周期包括气源供应金属源到一个包含底物的反应器，然后注入氧化气体到反应器。这种硅掺杂金属氧化物层的形成周期包括供应包含硅的金属气源进入包含底物的反应器，然后注入氧化气体进入反应器。在反复执行金属氧化物层的形成周期的K倍后，反复执行掺杂硅的金属氧化层形成周期的Q倍操，这样执行一次或多次直到与所需的厚度相同的硅掺杂的金属氧化层在基板上形成。此外，根据发明的方法类似的方法一个形成硅掺杂氧化铪（硅掺杂氧化铪<SUB>2</SUB>）层也有可实现 |