公开号：	US2007026134A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	原位胶工艺厚度描述的方法
摘要：	一个原位胶工艺和设备厚度特征的描述可以用于处理光刻胶过程半导体圆片。在无须胶纺纱半导体晶圆作为表征的过程。光刻胶的厚度在监测的一组旋转的位置在特定的时间间隔流经在光刻胶的半导体晶圆。薄膜厚度是根据从多个位置和时间间隔为特殊用来制作过程控制决定的。半导体制程涂料根据半导体圆片来源于表征过程的特点,晶片上胶存款晶圆片（内部-表面）是根据光刻胶过程特性的过程。