| 摘要： | 一方面，非共形层由等离子体增强的原子层沉积的变化形成，在这一过程中，一个或多个脉冲宽度，分离，射频电源接通时间，反应物浓度，压力和电极间距从在准确的自饱和反应变化到在消耗效应模式下起作用。因此，沉积发生在基底表面附近，但是在深入一个指定的距离达到开口后（例如DRAM深槽，气孔等等）被控制停止。适合这种调制的反应器结构包括淋喷头，尤其是具有可调电极间距的等离子体原位反应器。另一方面，基底上包含具有至少两种不同反应物的开口，其中至少一种反应物的饱和剂量已经预定，并且这饱和剂量能均匀提供整个基底表面，他们交替循序地接触基底，沉积上不能完全覆盖开口表面的薄膜，导致在基底表面更少接近区域的消耗效应。 |