公开号：	US2007031598A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	含硅薄膜的沉积方法
摘要：	本专利揭露了利用甲硅烷胺基形成含硅薄膜的方法。在一些实施方案中，利用甲硅烷胺基在低于550℃时来沉积硅氮，硅氧，或者硅氮氧材料。在另一些实施方案中，这些方法既适应于在包含单个基底的工艺室内实行，同样也适应于在包含多个基底的工艺室内实行，其中甲硅烷胺基以全流式的方式传送到工艺室。