公开号：	US2007048446A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	半导体处理中的气体输送系统
摘要：	本发明是针对改善半导体处理系统中的缺陷性能。在具体的实施方案中，用于处理半导体基底的装置包括：一个确定处理区域的腔室，以及一个位于室内支撑半导体基底的基底支座。至少有一个喷嘴伸入腔室内通过喷嘴开口引入辅助气体。该装置还包括至少一个隔热板，每个都位于至少一个喷嘴的至少一部分周围。隔热板一直延伸到喷嘴开口的远端，包括一个隔热板开口用于使辅助气体经由喷嘴开口流入。隔热板降低了处理室内喷嘴的温度，以此引入辅助气体来减少粒子。