公开号：	US2007048455A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	薄膜成形方法
摘要：	本发明提供了一种半导体器件的薄膜成形方法。这里介绍的薄膜的形成方法是基于化学气相沉积（CVD）方法中的时间分割辅助气体供应，辅助气体不断地供应和进化，此外在脉冲反应气体循环的同时形成等离子体。本发明也提出了具有梯度组分分布性质的薄膜的形成方法。