公开号：	US2007087541A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	金属硅化物沉积和形成的方法及装置
摘要：	本发明公开了再硅材质上形成硅化物的方法和结构。将硅材质置于真空环境下，在它上面生成金属，然后在不破坏真空环境的条件下加热硅表面和金属。在不破坏真空环境的条件下金属的生成和硅的加热能同时进行，随着金属的沉积便形成了硅化物。在上述过程完成后，从真空环境中移出硅表面，在对其进行补偿加热。第一次加热形成单硅化物，而补偿加热形成二硅化物。