公开号：	US2007095654A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	可控的多步磁控溅射工艺
摘要：	在等离子体溅射反应器中，多步溅射工艺具有能在两种模式下操作的目标和磁控管，比如基片溅射刻蚀和基片溅射沉积。目标具有一个面向晶片的环形穹顶，用于溅射镀膜。位于穹顶周围的各种磁性装置提供和了一个磁场域，来支撑遍布在穹顶上等离子体。在自制的反应器或其他反应器中制备一个完整的铜的过程包括：第一步，铜的高度离子化溅射沉积，它能选择性地用于移除底部的阻隔层；第二步，铜的中性，低能量溅射沉积来形成种子层；第三步，向洞中电镀铜使其金属化。前两个步骤也可用于绝缘金属。