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企业难题需求
公开号: US2007105377A1
大类:国外
行业类型:化学
行业内分类:对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名:半导体内部连接结构形成
摘要:描述一种选择性蚀刻在裸露的基板金属表面,形成覆盖在金属表面一层导电层。在一些实施例中,蚀刻过程涉及到裸露的金属形成金属氧化物随后从基板表面去除氧化过程。暴露的金属可能被含有的氧化作用试剂所氧化,如含有氧气或臭氧氧化性氧化。金属氧化产生后,随即利用合适的金属氧化蚀刻试剂,如甘氨酸。氧化和蚀刻,可能产生于同样的溶液。在其它实施例中,直接暴露的金属蚀刻没有形成一个金属氧化物。适用于直接金属蚀刻剂包括任何酸性溶液。这个过程允许控制氧化和/或降低蚀蚀刻。金属区域经过蚀刻和凹进基板表面,形成了导电覆盖层,采用了凹区暴露的金属化学沉积。
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