公开号：	US2007105398A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	制作绝缘薄膜方法，绝缘薄膜，半导体器件的制造方法，半导体器件
摘要：	一种由原子层沉积过程中在基板上形成薄膜绝缘体薄膜的方法，包括第一步在基板上的形成硅原子层，和在硅原子层上形成一个的氧原子层，第二步形成在基板上的金属原子层，在金属原子层上形成一个氧原子层，其中，在绝缘体薄膜中金属原子的浓度是通过控制的第一步第二步进行次数。