公开号：	US2007163503A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	薄膜制备设备
摘要：	薄膜制备设备通过提供CuCl前驱体从Cl提供装置从外室进入内室进行蚀刻形成的膜，它是独立温度控制的，并且沉积Cu到基板上。没有复杂的温度控制（只需一个加热器加热控制），没有对等离子辐射的影响。