公开号：	US2007224833A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	利用等离子体化学气相沉积法形成碳聚合物膜
摘要：	通过电容耦合等离子体化学气相沉积装置在半导体基板上形成含碳氢化合物聚合物薄膜的方法。该方法包括如下步骤：含液体单体的碳氢化合物蒸发（C<SUB>alpha</SUB>H<SUB>beta</SUB>X<SUB>gamma</SUB>，其中α和β是自然数5或5以上;Gamma是一个整数，包括零;X是含O，N或F）沸点大约20℃-350℃左右，而不是由乙烯基或乙炔基团取代得到;引导蒸发气体CO<SUB>2</SUB>气体orH<SUB>2</SUB>气体进入一个化学气相沉积反应室的内基板上;并利用等离子体化学气相沉积法形成碳聚合物膜，从而减少在193nm消光系数（k）和增加机械强度。