公开号：	US2007243327A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	成膜方法和装置
摘要：	本发明形成薄膜的方法是基底是首先在容器得到。然后成膜气体包括有机硅和石蜡添加剂的烃类气体，包括气体和/或氢气被引入反应器中，成膜气体和助气，转变成等离子体。在这种方式下，碳氢氧化硅薄膜（SiCOH薄膜）的基板上形成。另外，成膜气体首先引入含有基板的反应室，然后被转换成等离子体，在基板上形成SiCOH薄膜。随后，添加剂气体引入到容器中，然后加工成等离子体，基板上形成具有SiCOH薄膜。