公开号：	US2007251818A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	Cu物理气相沉积靶和制备Cu物理气相沉积靶的方法
摘要：	本发明中，我们使用铜材料制备了物理气相沉积靶，其平均粒子尺寸小于50微米，并且整个靶中并没有粗大的颗粒。这种铜制备的物理气相沉积靶的平均粒子尺寸小于50微米，标准偏差小于5%。铜材料来源于铜合金或者铜质量分数大于等于99.9999%的高纯铜材料。本发明介绍了制备铜物理气相沉积靶的方法。我们采用多级处理工艺处理铜铸件材料。其中每一个阶段都会包含加热事件，热锻事件和冷水淬灭事件。多级处理后，滚动铜材料，即得到了空白的目标。