公开号：	US2007259190A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	低温溅射工艺和方法制备具有高电阻值的ITO透明基底
摘要：	本专利介绍了大规模生产具有高电阻值的ITO透明基底的方法。这个方法具体如下：ITO薄膜与金属有机靶混合在一起，然后采用低温溅射的方法在ITO基底上沉积多层薄膜，使得ITO基底具有很好的透光性。这种薄膜可以在流水线上制备，同时可以进一步进行加热和退火处理，稳定ITO薄膜的高电阻性质。