公开号：	US2007266946A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	半导体装置器件制造及其相类的制作方法
摘要：	本发明为半导体装置器件制作及其方法是对制作过程中通过高效的对工艺腔内部的粒子进行清理使粒子含量减至最低。半导体装置器件制造工艺中在工艺腔顶部有一个喷头，这个喷头为盘子状的气体扩散装置，流体补给线和等离子体波导与喷头相连。基底制作完成后工艺腔工艺废气通过流体供应线到达喷头，等离子体通过等离子波导由远处的等离子反应堆供给到工艺腔顶部。