公开号: | US2007292615A1 |
大类: | 国外 |
行业类型: | 化学 |
行业内分类: | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料 |
专利名: | 选择性金属沉积形成金属硅化物的硅型表面工程的工艺过程 |
摘要: | 文章主体为介绍需要增强电迁移性能、具有低金属电阻系数、提高硅-金属表面粘附力的铜的改性方法和过程。行之有效的方法为在基底硅或者多晶硅表面选择性沉积一层金属,使在集成基底上形成一层金属硅化物。这种方法同时包括从集成基底表面去除有机杂质,在移除有机杂质后使多晶硅或者硅的表面由二氧化硅变成硅。这种方法以后可能还会包括在集成的去除有机杂质后的硅或多晶硅基底选择性沉积金属层。 |