公开号：	US2008038485A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	含有氧化物的碳化硅合成方法
摘要：	在反应空间基底表面上含有Si，C,O,H和N的碳化硅膜的制备方法为：在反应空间引入含有Si，C,O,H和N的先驱体并且分子中至少含有一个Si-O键；在反应空间中冲入惰性气体；流入反应空间的气流流量控制在30-850W/cm<SUP>2</SUP>；由此可以在含有Si，C,O,H和N的碳化硅膜基底上进行沉积。