公开号：	US2008057220A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	薄膜掺杂源形成的硅太阳能电池
摘要：	本发明为制造太阳能电池和形成p-n结的方法和仪器。太阳能电池p-n结为通过N型磷掺杂硅材料在混合的前躯体和退火的薄片沉积后获得理想厚度的p-n结。发明主体中，通过掺杂硅和磷掺杂的气体、含氢的前躯体作为前躯体利用等离子体增强化学气相沉积腔在薄层表面上沉积磷掺杂的非晶硅膜，另一主体部分中，用退火炉和快速加热腔对沉积有磷掺杂的多晶硅薄膜的薄皮进行退火处理。