公开号：	US2008102202A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	气体分布可变的掩蔽腐蚀等离子体反应器
摘要：	等离子体反应器处理如掩膜、薄片的工件需要包括圆柱形支撑物的真空腔，支撑侧面之上的反应器棚顶和侧面顶部边缘的环形支架及支反应器撑棚顶的支架，环形支架宝货内、外两面。等离子体源射频强度敷抹器和源射频强度发生器与等离子体源能量敷抹器相连。多数通道由外表面到内表面径向通过，与环形支架相隔。反应腔外部多数的外部气流管线每条都彼此独立并保有孔隙与定位件连接。每一个阀门包含：（1）与环形支架外表面多个独立管线的气体输出量可控。（2）输入量同样可控。气体阀门外部控制人员监控每一个输入阀门的输入流量。