公开号：	US2008115728A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	等离子体处理仪器
摘要：	当基底1的尺寸被确定后，通过图纸分析溅射刻蚀的可行性区域则只与基底的直径Dp、高密度等离子体区域、高密度等离子体区域中心到等离子体散射区域面的高度H有关；以天线116发出的电磁波频率和内压力为基础，可以获得从高密度等离子体区域的中心到上翼面内部真空腔111的高度Hp，和Dp的值。基于内压和基底1的自生偏压特性，可以获得等离子体散射区域的底面和支撑台113上表面的高度Hs值。基于上述Dp、Hp、Hs的值，溅射刻蚀可行性区域的高度H的值将可以从图纸中获得。通过控制升降系统121可以获得上述的H的值。