公开号：	US2008121515A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	采用哈尔巴赫磁体阵列的磁控溅射
摘要：	本发明发明了一种磁控管溅射靶向组件，这种组件包含至少一种可用于溅射的材料组成的靶材，这种靶材是由一对相反面临的表面组成。这种磁体组件包括一种多元化哈尔巴赫磁体阵列，该阵列与提供磁力线的一个表面相邻近，该磁力线摆脱并再次进入另一个表面形成了一个拱形结构，并在另一个表面形成了闭环磁场路径。与传统的磁控管磁铁组件相比，哈尔巴赫磁体组件使磁感应强度增强，磁感应强度增强有利于厚靶溅射，包括用于制造记录介质的磁性材料，也有利于制造这种介质的高质量含碳保护膜的低压溅射。