公开号：	US2008152903A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	高密、低能的等离子体增强汽相外延系统
摘要：	本发明为用于等离子体增强的汽相外延的高密低能的等离子体发生器半导体复合层的快速外延沉积仪器。在第一步中，一种或多种金属蒸汽和非金属气体共混在沉积腔内。高活性的气体在高密低能的等离子体前面。金属蒸汽和高活性气体同时沉积再热基底的待沉积物件上，以在基地上沉积生成半导体层。这个过程不含碳尤其适合生长速度高于10nm/s且基底温度低于1000℃的大面积二氧化硅基底氮化物半导体外延生长。这个生长过程既不能包括含碳的气体也不能包括可以释放氢的气体，并且因为无毒气体所以环境友好。