公开号：	US7117064B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	一种沉积介电薄膜的方法
摘要：	本发明提出了一种集成电路制作工艺中碳化硅薄膜的制备方法。这种碳化硅涂层是在电场存在下，通过硅源和碳源以及含添加剂的气相混合物相互反应形成的。用这种方法制备的碳化硅薄膜的压缩系数随着添加剂的量的改变而发生改变。