公开号：	US7202183B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	一种使用高密度等离体化学气相沉积来填充空隙和沉积材料的方法
摘要：	本发明涉及一种在半导体基底中填充空隙的方法。将一个基底以及至少含有一种重氢化合物的混合气体放入反应容器中。气体混合物通过同时的沉积及刻蚀在基底上反应形成一层材料。材料层填充了空隙使材料基本无孔洞。本发明涉及提高沉积速率均匀性的方法。D<SUB>2</SUB>,HD,DT,T<SUB>2</SUB>及TH中至少含有一种气体存在条件下，材料沉积在基底表面上。沉积过程中，净沉积速率在表面上有一个可测量的跨越，尤其是，在其它条件基本相同情况下利用H<SUB>2</SUB>,速率会增加。