公开号：	US7361611B2
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	一种氮掺杂膜，氧掺杂膜以及其他掺杂膜
摘要：	本发明涉及在制备氮化硅，氧化硅，氮氧化硅或碳化硅膜的过程中，添加至少一种非硅元素的前驱体（比如锗前驱体，碳前驱体等），以此提高膜的沉积速度以及调节膜的一些性质，比如调节膜的抗压力性能。另外，在掺杂的氧化硅或氮化硅或其他掺杂结构中，掺杂物可以用来测量与掺杂剂本身相关的信息，还可以控制刻蚀停止或其他工艺。