公开号：	US2006124581A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	带电粒子束可透过的掩模基板，制备带电粒子束可透过的掩模基板的方法
摘要：	这一发明报道了用于带电粒子束透过的掩模基板，这种基板采用了SOI基底使硅膜的质量具有更高的可靠性；避免了由于二氧化硅中间层的收缩应力而产生的变形现象，从而提供了制备带电粒子束刻蚀掩模基板的方法。掩模基板空白部分采用SOI基底，正反两面都具有一层硅膜，而中间层是二氧化硅薄膜，基板的反面硅膜被制成特征图案；而中间夹层即所说的SOI层被部分移除形成开发的暴露带，使得刻蚀过程在开口处形成较小的薄膜应力。