公开号：	US2006175289A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法料
专利名：	制备半导体器件的方法
摘要：	该方法采用高介电常数的绝缘材料作为半导体器件的栅极。首先形成一个高介电常数的绝缘层，之后在上面制成一层导电膜层。对导电膜层进行干法刻蚀，为了增大接下来的湿法刻蚀速率进行一步前处理，主要是采用等离子体刻蚀或者是离子辅助办法。采用湿法刻蚀的方法对处理后的导电膜层进行图案化选择性刻蚀。这里采用的等离子刻蚀以及离子辅助的方法主要是为了增加湿法刻蚀导电膜层的刻蚀速率。