公开号：	US2006183337A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	柱状高压栅极介电图案表面等离子体处理
摘要：	本发明提供了制备一种双栅极半导体器件的方法。第一部分，介绍在半导体基底上制备氮化高压栅极介电薄膜；在氮化高压栅极介电薄膜表面进行图案化，暴露的氮化的高压介电薄膜表面会残留催化剂。该方法进一步介绍了将暴露部分的氮化高压介电薄膜表面的残留催化剂除掉的方法。