公开号：	US2006211251A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	铜互连布线中氧化铜的去除
摘要：	本篇发明介绍了一种光削减的办法去除半导体基片上氧化铜的方法，氧化铜是在加工高级集成电路布设互连布线的时候形成的。这种设备主要包括反应腔体，腔体内具有一个高密度的紫外灯和基底托盘。紫外灯由微电荷器件阵列在半导体基底上组成，每个微电荷器件是一个中空的阴极结构。这种多阵列微电荷器件被整合形成平行的紫外光线，足以提供高能量大面积的照射。腔体内的托盘可以旋转，从而使光削减过程获得均匀削减效果。腔体内通入非氧化性气体进行保护，防止处理后的铜布线再次被瞬时氧化。