公开号：	US2007034603A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	反应离子刻蚀方法以及在刻蚀过程中增加光刻胶稳定性的方法
摘要：	这种刻蚀方法简单叙述为，在光刻胶图案化的基板上对露出部分进行反应离子刻蚀，采用氩气以及一定量高原子量的气体等离子体进行轰击。这一定量的高原子量的气体等离子体可使掩膜光刻胶更稳定。光刻胶中的敏感成分的活化能量在小于等于248nm波长处。在反应离子刻蚀中增加该波长处光刻胶的稳定性，其方法包括减小等离子体电子温度，掩膜板待刻蚀部分应该完全暴露，从而避免削减掩膜的光刻胶。