公开号：	US2007039920A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	纳米孔道加工方法
摘要：	该法可以用来加工半导体基底，得到至少一个纳米孔道。该方法包括将半导体材料接受刻蚀处理，基底接受半导体材料的粘连处理，半导体在这里作为一个粘连剂，在刻蚀之前，半导体材料将被掺杂形成电极材料。