公开号：	US2007090090A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	金属材料的缓蚀、防积垢及除油
专利名：	干法刻蚀技术
摘要：	这里介绍表面处理方法，在该方法中刻蚀较低层光刻胶的速度较中间无机掩膜夹层的速度要提高很多。特别是应用在半导体加工之中。无机掩膜起到图案化限定作用。在处理半导体表面的过程中，无机中间层和高出的光刻胶层附在低处光刻胶表面，采用二氧化碳和氧气附加的氮气氢气等离子体作为刻蚀气体。使得刻蚀过程中无机中间层边缘的削减程度得到降低，从而获得更好的垂直结构。